2.5G/10G SDH設備技術

       SDH設備具有環(huán)網(wǎng)冗余保護、傳輸時延小且恒定、業(yè)務具有獨享帶寬等優(yōu)勢，在IP通信日趨普及的今天，SDH仍廣泛地應用在軍隊、空管、電力等更多重要的場所，尤其是2.5G SDH/10G SDH能夠提供線速千兆的EOS 以太網(wǎng)通道，而且SDH設備也集成了更多高階、低階、甚至64K用戶級的無阻塞交叉連接，使得SDH在專網(wǎng)中的應用更加方便。由于通信設備的網(wǎng)管口和通信口嚴格分離，而網(wǎng)絡設備的網(wǎng)管口和用戶口靠登錄權限區(qū)分，所以SDH設備具有嚴格的安全保證能力。

    隨著技術和市場的發(fā)展，骨干網(wǎng)層的主流SDH設備速率已經(jīng)上升到了10G/40G；而2.5G的SDH傳輸設備由于能夠提供線速千兆以太網(wǎng)，逐漸進入邊緣層，做為接入設備使用。同時，數(shù)據(jù)、互聯(lián)網(wǎng)業(yè)務帶寬需求的急劇增長，對邊緣層承載的SDH設備也提出了越來越高的要求。
早期SDH設備背板總線速率為19.44Mbit/s，采用的是單端TTL總線技術，即常說的第一代總線技術。這種總線技術用于低速率場合（如PCM綜合復用設備）時具有成本低的優(yōu)勢，但有如下原因不方便應用到高速率SDH設備中：

1）單端TTL總線的電壓擺幅過大，這會導致系統(tǒng)的功率過大。隨著SDH設備速率的提高，設備功率也相應提高，若在高速率SDH設備中采用高速單端TTL總線技術，功率太大會使系統(tǒng)難于正常工作；

2）電壓擺幅過大會帶來明顯的尖峰脈沖電流、過沖和大的交流噪聲，這嚴重影響了信號質(zhì)量，并且引起了EMI問題；

3）由于TTL的技術原理是利用三極管電極電荷的積累與消散過程，這使得總線信號速率必然受到電荷充放電時間的限制，難以應用于速率較高的場合；

4）單端總線技術很難有效消除總線上的噪聲，限制了這種技術向更高速率發(fā)展；

5）TTL在高速設備背板上應用會大大增加設備的設計復雜性，譬如在2.5G設備上用38.88Mbit/s TTL總線，那么凡需要處理2.5Gbit/s信號的地方就要用到64根總線，這種復雜度是難以想象的。

      因此IDM G3CP第3代SDH使用了LVDS總線技術。信號在板間傳輸時使用LVDS總線。有以下特性：

1，擺幅小，功率��；

2，適應高速率，滿足155M、622M、1G、2.5G、10G信號的傳輸,

3，有減小總線噪聲的機制。

LVDS的平均擺幅約為350mV，平均直流偏置電壓約為1.25V，平均信號電流3.5mA(在電源電壓為3.3V的情況下)，功率��；LVDS的技術原理決定了它可以應用于總線速率高達10Gbps的場合；LVDS采用兩根貼得很近又接近對稱的差分信號線，有效地消除了總線上的共模噪聲，大大提高了進入接收機的信號質(zhì)量。LVDS技術完全可以運用于高速總線，這可以大大降低系統(tǒng)設備的復雜度，比如處理一個622Mbit/s信號只需一對622Mbit/sLVDS總線。

       IDM G3CP 背板包括SDH類總線、PCM類總線、以太網(wǎng)類總線等。所有總線采用差分對實現(xiàn)，所有業(yè)務支持雙盤熱備份。支持電源熱備份集中供電、支持帶電熱插拔。

       支持STM-1、STM-4、STM-16、STM-64級別的SDH板卡插入，也支持FE EOS、GE EOS以太網(wǎng)的接入，具有多個72個E1的無阻塞的64K DXC。支持增益可調(diào)的2/4 EM音頻接口、具有普通磁石卡、2100Hz信令磁石卡接口、以及帶端口監(jiān)測功能的FXO、FXS等接口，具有X.50/X.58同步/異步數(shù)據(jù)接口。同時具有程控交換、SIP軟交換插盤，具有強大的融合通信能力